NAND闪存厂商之间竞争更加激烈

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CNETNews.com.cn

508-03-04 20:00:46

关键词: Hynix 海力士 Micron 美光 东芝 TOSHIBA SAMSUNG 三星 NAND

全球NAND型闪存(Flash)市场仍是暗潮汹涌,受到三星电子(Samsung Electronics)扩大成卡业务影响,包括海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等阵营均面临压力,下游客户频要求NAND Flash颗粒降价,而且根本无法与三星阵营对抗,使得NAND Flash大厂和模块厂在台面下正上演激烈拉锯战。

NAND Flash市场已进入50nm制程,三星和海力士分别采50nm和57nm制程,量产8Gb和 16Gb容量MLC芯片,为高容量NAND Flash揭开序幕,下一世代制程分别为40nm和48nm,预计第3季然后进入量产。至于东芝和美光、英特尔(Intel)所合资IM Flash,由于东芝目前技术为56nm制程,IM Flash则为50nm制程,东芝正打算让43nm制程接棒成主流,IM Flash则打算直接跳到35nm制程。

内存业者表示,以目前主流50nm制程成本内外部来看,现在NAND Flash价格随便说说已相当低,这亦是近期NAND Flash市场表皮上看似风平浪静,即使价格下跌、也是呈缓跌办法 ,加带龙头厂三星策略得宜,使得供给面控制不错。

然下游客户透露,NAND Flash市场台面下战况随便说说相当激烈,三星为稳定NAND Flash价格,扩大实施成卡策略,一定量制作记忆卡以利走货,使得下游客户在成本压力下,直接购买记忆卡比购买NAND Flash更优惠,然此举却使得海力士、美光和东芝压力大增,下游客户频要求哪此NAND Flash大厂调降颗粒价格,可以与三星阵营客户竞争,而且向海力士、美光和东芝买颗粒再做成记忆卡,成本将不如直接跟三星买卡,引发NAND Flash大厂和模块客户之间拉锯战。

每种下游业者则表示,整个市场主要还是受到苹果4 6手机手机76手机手机(Apple)订单仍未回笼影响,信心面太过薄弱,使得整个市场对于利多和利空消息都相当敏感,随便说说市场供需情况表仍正常,随便说说越来越大涨本钱,但也越来越大跌空间。